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PUMF11,115  与  BCR 22PN H6433  区别

型号 PUMF11,115 BCR 22PN H6433
唯样编号 A-PUMF11,115 A-BCR 22PN H6433
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 22k Ohms
功率耗散Pd - 250mW
特征频率fT - 130MHz
产品特性 - 带阻/预偏置
Pd-功率耗散(Max) 300mW -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
电阻器-发射极基底 47KOhms -
FET类型 N+P-Channel -
电阻器-基底 22K Ohms -
封装/外壳 SOT363 SOT-363
VCBO - 50V
工作温度 - -65°C~150°C
系列 - BCR22
尺寸 2.1 x 1.25 x 0.95 -
集电极连续电流 100A 100mA
直流电流增益hFE - 50
集电极-发射极最大电压VCEO 50V 50V
晶体管类型 - NPN+PNP
R1 - 22k Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMF11,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 N+P-Channel 300mW

暂无价格 0 当前型号
UMF28NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V,50V -150mA,100mA -500mV,300mV 180,68 140MHz,250MHz 2PNP

¥1.7249 

阶梯数 价格
90: ¥1.7249
100: ¥1.6674
300: ¥1.0641
500: ¥0.9248
1,000: ¥0.8254
2,900 对比
UMF28NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V,50V -150mA,100mA -500mV,300mV 180,68 140MHz,250MHz 2PNP

暂无价格 100 对比
UMF28NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V,50V -150mA,100mA -500mV,300mV 180,68 140MHz,250MHz 2PNP

¥1.4597 

阶梯数 价格
1: ¥1.4597
100: ¥0.8277
1,000: ¥0.5065
3,000: ¥0.3829
97 对比
DCX124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW 50V 100mA 300mV 56 250MHz NPN+PNP

暂无价格 0 对比
BCR 22PN H6433 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-363 250mW 50V 100mA 300mV 50 130MHz NPN+PNP 带阻/预偏置

暂无价格 0 对比

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